陸委會發布新聞稿表示，關於開放8吋晶圓0.18微米製程赴大陸投資，係近年國內半導體業者之強烈訴求，業者並於94年1月向經濟部投資審議委員會（以下簡稱投審會）提出申請。惟考量半導體0.18微米製程開放在國內仍有不同意見，復因中共於94年3月通過「反分裂國家法」導致兩岸關係的變化，使本項政策檢討亦受到影響。今（95）年7月政府邀集各界代表召開經續會，與會代表將8吋晶圓0.18微米製程技術開放之相關議題納入全球佈局與兩岸經貿組加以討論，並達成共同意見（該項共同意見為：「在維持台灣技術領先及核心技術不外流之原則下，對於中國大陸已經開發成熟或國際上【瓦聖納協議等】已不予管制之產業技術，可進行檢討，但仍應考慮對整體產業及國內就業之影響等因素」）。政府相關機關依據經續會結論進行8吋晶圓製程技術相關政策之檢討，並決定在限於國內母公司移轉製程技術予其大陸投資事業，且限於自用之原則下，將現行准許赴大陸投資之8吋晶圓製程技術由0.25微米放寬至0.18微米。
政府決定放寬8吋晶圓製程技術赴大陸投資，主要考量因素如次：
| 一、 |
與國際規範同步。 |
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91年3月行政院開放8吋晶圓赴大陸投資政策，當時即楬櫫技術面管理應與國際同步之政策原則，並參考瓦聖納協議及美國科技管制規範訂定限於0.25微米以上製程技術。惟瓦聖納協議於93年12月已作修正，將半導體製程設備管制（微影設備之最小解析度）由0.35微米放寬至0.18微米；美國政府亦已修正其出口管制清單，目前0.18微米以上製程不再管制，0.18微米以下製程則依個案審查原則進行。鑑於半導體0.18微米以上製程設備在國際上已不受任何限制，我國亦有必要放寬現行0.25微米之限制，俾與國際規範同步。 |
| 二、 |
對半導體產業利多於弊。 |
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| （一） |
台灣半導體製程技術已大幅提升。在91年政府開放8吋晶圓0.25微米以上製程赴大陸投資時，國內半導體業仍以8吋廠為主，製程技術甫進入0.13微米世代，而目前國內半導體業共有10座12吋廠，佔全球四分之一，製程技術亦普遍進入90奈米及65奈米世代，與0.25微米已有四個世代差距，因此，開放0.18微米以上製程，對國內半導體業影響微乎其微。 |
| （二） |
中國大陸已普遍使用0.18微米製程技術。據相關資料顯示，大陸晶圓廠從國際引進技術，目前已普遍運用0.18至0.13微米製程技術，並已進入90奈米世代。另大陸半導體設計業超過半數運用0.18至0.13微米技術進行數位產品之設計，我政府限制在大陸投資廠商僅能運用0.25微米製程技術，已明顯影響台灣晶圓廠大陸投資事業在大陸市場的競爭力。 |
| （三） |
從市場競爭觀點，2005年大陸半導體市場產值逾350億美元，是全球成長最快的市場。大陸本地業者及外資廠商取得半導體先進製程技術並無困難，0.18微米製程技術更屬普遍，我政府限制0.18微米製程技術難以對大陸本地業者構成技術取得障礙，反可能壓縮台灣廠商生存發展空間，使當年開放晶圓廠赴大陸投資之政策目標難以達成。 |
| （四） |
綜上分析，開放晶圓廠0.18微米製程赴大陸投資，對國內半導體產業並無負面影響，但有助於提升半導體廠商大陸投資事業之競爭力。站在協助半導體業者提升競爭力的立場，有必要放寬製程技術之限制。 |
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鑑於台灣半導體業者之技術優勢除製程技術外，更重要的是晶圓製造之整合管理技術，為避免在大陸形成技術擴散效應，致對國內半導體業構成競爭壓力，未來0.18微米製程技術將限於台灣母公司與其大陸投資事業間之內部技術移轉，且以自用為限。另大陸投資事業若因經營需要與當地其他事業進行非關鍵製程之技術合作，亦需送經濟部備查，以確保我方核心優勢不致遭到削弱。
另經濟部及相關機關已建立配套管理措施，國內晶圓製造業申請赴中國大陸投資，須依據經濟部95年12月29日發布修正之「在大陸地區投資晶圓廠審查及監督作業要點」及95年12月14日公告之「在大陸地區重大投資案件政策面審查協調作業要點」等相關規定辦理，並由相關機關首長組成跨部會審查及監督小組，就該投資進行審查及事前與事後的監督與管理。另在科技保護法通過立法前，依據「經濟部半導體產業赴中國大陸地區投資或技術合作之監督管理作業機制」，成立監督委員會，對半導體產業設廠後之設備輸出及技術移轉等事項作有效管理。
面對半導體產業技術快速進步及全球競爭的大趨勢，政府將繼續秉持「積極管理、有效開放」的理念，在有效管控風險的前提下，以策略性思考進行相關政策調整，全力協助國內半導體產業的升級，及擴大全球佈局的利基，進一步鞏固台灣在全球半導體市場的關鍵地位及競爭優勢。
資料來源：陸委會網站，民國95年12月29日